半导体行业术语集锦

通用术语
1、微电子学  microelectronics 高度小型化电子线路的构成和应用的学科;

2、集成电路 integrated circuit 将若干电路元件不可分割地联在一起,并且在电气上互连,以致就规范、试验、贸易和维修而言,被视为不可分割的一种电路;

3、半导体器件 semiconductor device 基本特性是由于载流子在半导体内流动的器件;

4、电路元件 circuit element,在集成电路中完成某种电学功能的无源或有源元件;

5、有源元件 active element 一种主要对电路提供整流、开关和放大功能的(电路)元件;

6、无源元件 passive element 对电路功能起电阻、电容或电感,或是他们组合作用的元件;

7、电极 electrode 半导体器件的规定区域与连引出端的内引线之间的提供电学联接的部分;

8、功能框图 functional-block diagram 按功能表示复杂集成电路内部基本单元结构的图;

9、封装外形图  package outline drawing 规定尺寸特征和机械互换性要求等有关特征的封装图形;

10、微电路模块 microcircuit module 为实现一种或多种电路功能而设计和制造的微型组件或微电路与分立元器件的组件;

11、半导体集成电路 semiconductor integrated ciurcuit 在半导体内部和上面形成元件并互连的集成电路;

12、单片集成电路 monolithic integrated circuit 全部元件制作在一块半导体芯片上的集成电路;

13、多片集成电路 multichip integrated circuit 一个封装体内仅装有两个或多个半导体芯片的集成电路;

14、膜集成电路 film integrated circuit 元件和互连均以膜形式在绝缘基片表面上形成的集成电路;

15、混合集成电路 Hybrid integrated circuit 由半导体集成电路与膜集成电路的任意组合,或由任何这些电路同分立元件的任意组合形成的集成电路;

  15.1 薄膜集成电路 thin-film integrated circuit 采用真空淀积技术,也可辅以其他淀积技术形成膜的膜集成电路;

  15.2 厚膜集成电路 thick-file integrated circuit 采用印刷、丝网印刷技术或其他有关技术形成膜的膜集成电路;

16、双极型集成电路 Biplolar integrated circuit 以双极型晶体管为基本有源元件构成的集成电路

17、晶片(圆片) wafer 一种半导体材料或将这种半导体材料沉积到衬底上面形成的薄片或扁平圆片,在它上面可同时制作出一个或若干个器件,然后将它分割成芯片;

18、芯片 chip 从含有器件或电路阵列的晶片上分割的至少包含有一个电路的部分;

19、衬底 substrate 在其表面和内部制造器件或电路元件的材料;

20、基片 substrate 对膜电路元器件和(或)外贴元器件形成支撑基体的片状材料;

21、膜 film 用任何淀积工艺在固体基片上形成的固体层;

  21.1 薄膜 thin film 用真空蒸发、溅射及化学气相淀积等生长工艺在基片上淀积的膜;

  21.2 厚膜 thick file 通常用丝网印刷工艺在基片上淀积的膜;

  21.3 镀膜 plated film 通过化学的和(或)电化学淀积所得到的膜;

22、平面工艺 planar technique 采用掩膜扩散、金属化、光刻等技术,在衬底上制造元器件和电路的过程;

23、外延工艺 epitaxy technique 在衬底上生长一层与衬底有相同或相近晶相的半导体材料的过程;

24、光刻工艺 photolithography technique 利用曝光、显影、刻蚀等技术,在表面涂敷有光致抗蚀剂膜的晶片上,制作出所需图形的过程;

25、真空蒸发 vacuum evaporation 在真空中将材料加热,并使其蒸发淀积在其他材料表面上形成膜的过程;

26、扩散工艺 diffusion technique 将杂质原子扩散到半导体晶体中,在该晶体中形成P型或N型电导率区域的过程;

27、离子注入 ion implantation 将被加速的离子注入到半导体晶体中,在该晶体中形成P型、N型或本征导电区;

28、溅射 Sputtering 利用辉光放电中气体离子的轰击使电极材料释出,并淀积在其他材料表面上形成膜的过程;

29、金属化 metallization 淀积一层金属膜,并制作布线图形,从而形成所需内连线等的过程;

30、表面钝化 surface passivation 在P区、N区和PN结形成以后,在半导体表面生长或涂敷一层保护膜的过程;

31、保护涂层 protective coating 涂在电路元件表面作为机械保护和防止污染的绝缘材料层;

32、引线键合  wire bonding 为了使细金属丝与芯片上规定的金属化区或底座上规定的区域形成欧姆接触,而对它们施加应力的过程;

33、封装 encapsulation 为抵抗机械、物理和化学应力,用某种保护介质包封电路和元器件的通用工艺;

34、灌封 embedding 采用能够固化的树脂对电路、组件的主体进行埋置的过程;

35、外壳 package(case) 集成电路的全包封或部分包封体;

36、底座 header 封装体中用来安装半导体芯片的部分;

37、检验 inspection 用测量、检查、试验或其他方法,把单位产品与要求条件对比的过程;

38、筛选 screening 为了检测并剔除潜在的失效,对一生产批中的全部产品所作的检验或者试验;

39、微波单片集成电路 microwave monolithic integrated circuit  用半导体技术将全部有源和无源微波元器件及互连线制作在半导体(半绝缘体)衬底内或它的表面上面形成的微波集成电路;

 

GJB548B 方法2010术语

1、有源电路区,active circuit area 包括功能电路元件、工作金属化层及其相连的集合(除梁式引线以外)的全部区域;

2、耦合(空气)桥  coupling air bridge 用于互连又与元件表面相隔离的抬起金属化层;

3、块状电阻 block resistor 是一种薄膜电阻器。考虑到修正阻值需要,其宽度设计值应比功率密度要求的宽度宽得多,并且应在已批准的承制方封帽前目检执行文件中予以说明;

4、接触通孔  contact via 在键合区或焊球连接区上刻蚀掉介质材料而露出键合下层金属(UBM)的开口;

5、沟道 channel FET结构中位于漏和源之间的区域;

6、裂纹 crazing 在受检验材料中存在的若干细裂缝(例如,玻璃钝化层裂纹);

7、碎屑 detritus 残留在切痕中的原始电阻材料或经激光修正后的电阻材料碎末;

8、芯片涂层die coat 为消除封装所产生的应力和防止芯片表面的划伤,在半导体器件表面所涂覆的一层软聚酰亚胺;

9、多余物foreign material指来自微电路和封装以外的任何物质,或在微电路封装内那些已离开了其原来或预定位置的任何非外来物质;

10、功能电路元件functional circuit element 指二极管、晶体管、穿接层、电容器和电阻器

11、玻璃钝化层glassivation 芯片顶层的透明绝缘材料,它覆盖了除键合区和梁式引线以外的有源电路区;

12、玻璃钝化层的裂纹 glassivation crack 在玻璃钝化层中的细微裂缝;

13、钝化层 passivation 在金属淀积之前或在多层布线器件的各金属层之间,在芯片上直接生长或淀积的氧化硅、氮化硅或其他绝缘材料;

14、焊球solder ball 在接触通孔的凸点下层金属上经过回流工艺形成的球形或半球型焊接材料;

15、焊料凸点solder  bump通过电镀或网印到光刻胶窗口中而形成的焊料。去掉光刻胶以后,在回流成球形或半球形类似一个柱状块

16、凸点下层金属under bump  metalization(UBM) 淀积在铝键合区或焊球连接区上面,在凸点焊料与焊盘之间增强润湿性和阻止层间金属反应的金属层;

 

GJB548B 方法2017术语

1、粘接介质attachment  media 用来实现元件与下层表面附着的一种材料(例如:粘合剂、焊料、合金);

2、键合区 bonding area 在基板与元件上用于引出、或导电带互连的金属化区域;

3、冷焊接 cold solder join表面呈粒状或无光泽的焊接。当此粒状或无光泽表面是某些特定材料(如AuSn焊料等)的特有性质时,不能作为冷焊接的拒收判据;

4、复合键合compound bond一个键在另一个键上面所形成的单一金属键合

5、元件element混合微电路的组成单元,如整体淀积或丝网印刷的无源元件、基板、分立或集成的电子器件,包括芯片、片式元件及其他微元件,也包括机械零件,如壳体、盖子以及对混合微电路工作起作用的所有部件;

6、金属间化合物intermetallics 

紫斑  purple plague是金-铝化合物之一,是在金丝键合到铝上之后,经过再次暴露于潮湿和高温(温度大于340)的环境过程后形成的。紫斑略带紫色,且非常脆,可导致与时间有关系的键合失效;由于有硅物质的存在,形成三元化合物可大大促进紫斑的生长

7、不同金属的复合键合non-monometallic compound bond包含两根引线的键合,有不同的金属、一个引线键合到另一个键合的顶部构成;界面在不同金属引线的键合之间,如,铝丝键合到金丝键合的顶部,反之亦然

8、空洞void材料中(内互连线、键合区域等)可以看到下层材料的任何区域,不是由划伤造成的

 

1、热压键合:适合在耐高温的基板上键合,通过加热和加压,使焊接区金属发生塑性变形,破坏压焊界面上的氧化层,在高温扩散和塑性流动的作用下,使固体金属扩散键合;

2、超声波键合:在室温下,由键合工具引导金属引线与待焊金属表面相接触,在高频震动与压力的共同作用下,破坏界面氧化层并产生热量,使两种金属牢固键合;

3、热压超声波键合:焊接时需要提供外加热源,通过超声磨蚀掉焊接面表面氧化层,在一定压力下实现两种金属的有效连接和金属间化合物的扩散,从而形成焊点

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